因为霍尔元件的灵敏度与载流子浓度成反比，而半导体的载流子浓度远比金属的载流子浓度小，所以采用半导体材料作霍尔元件灵敏度较高。另外半导体材料介电系数高，同样的电荷集聚产生的电压差高，也就是霍尔效应明显。
霍尔效应中需要产生一个平衡洛伦兹力作用的横向电压，电阻率越高，载流子浓度越低的半导体，其中越容易产生出这个电压，所以半导体的霍尔效应要比金属的强。霍尔效应可用来判别多数载流子的类型，霍尔效应也可用来测量迁移率。
霍尔效应：当电流垂直于外磁场方向通过导体时，在垂直于磁场和电流方向的导体的两个端面之间出现电势差的现象称为霍尔效应，该电势差称为霍尔电势差（霍尔电压）。
霍尔效应应用：基于霍尔效应的传感器在材料工艺获得重大进展前并不实用，直到出现了高强度的恒定磁体和工作于小电压输出的信号调节电路。根据设计和配置的不同，霍尔效应传感器可以作为开/关传感器或者线性传感器广泛应用于电力系统中。
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希望本篇文章《为什么霍尔效应在半导体中特别显著?》能对你有所帮助！
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